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LGW2D561MELZ35 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

LGW2D561MELZ35詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 560UF 200V 20% SNAP

系列：GW

制造商：Nichicon

電容：560µF

額定電壓：200V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 3000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：2.22A

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）

高度_座高（最大）：1.378"（35.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• IHSM4825EB4R7L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD

• DS1100Z-30+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 30NS 8-SOIC

• LGW2D222MELC45

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 2200UF 200V 20% SNAP

• DSF050J223

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.022UF 50VDC RADIAL

• IMC1210SY3R9J

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 3.9UH 5% 1210

• DTS060250UDC-P12/RN

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG

• GRM31CR72E333KW03L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206

• IDT70V3319S133BFI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA

• IHSM4825EB6R8L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD

• IMC1210SYR12J

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 120NH 5% 1210

• DTS060250UDC-P5/RN

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 2500MA P5 RA NEG

• DSF050J394

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.39UF 50VDC RADIAL

• IHSM4825EB8R2L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 8.2UH 3.3A SMD

• IDT70V3319S166BC8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA

• GRM31M5C1H563JA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.056UF 50V 5% NP0 1206