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MT4HTF6464AY-53EA1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

MT4HTF6464AY-53EA1詳細規(guī)格

類別：存儲器 - 模塊

描述：MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM

系列：-

制造商：Micron Technology Inc

存儲器類型：DDR2 SDRAM

存儲容量：512MB

速度：533MT/s

特點：-

封裝/外殼：240-DIMM

• HM2P89PME1P1GF

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 88POS TYPE F VERT

• MT4HTF6464AY-40EA1

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    240-DIMM    MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM

• MFR-25FRF-787R

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 787 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• NE5232D/01,118

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    NXP Semiconductors    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OP AMP DUAL HP 8-SOIC

• NOSE227M006R0080

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917

• NLFC453232T-470K-PF

  固定式    TDK Corporation    1812（4532 公制）    INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 1812

• NLAST4066DTR2G

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    ON Semiconductor    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SWITCH DUAL SPST 16TSSOP

• NE2X3LG6

  布線管，配線管道    Panduit Corp        DUCT SLT HAL FREE LGY 2X3"(6=6’)

• HM2P95PNF110GFLF

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT

• NE5500234-AZ

  RF FET    CEL    TO-243AA    MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89

• NOSE227M006R0080

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917

• NLFC453232T-4R7M-PF

  固定式    TDK Corporation    1812（4532 公制）    INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812

• NLAST4599DFT2G

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    ON Semiconductor    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    IC SWITCH SPDT SC88

• NE5511279A-T1-A

  RF FET    CEL    4-SMD，扁平引線    MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A

• HM2P95PNF120GFLF

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT

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