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MVA35VE102ML17TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MVA35VE102ML17TR詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD

系列：MVA

制造商：United Chemi-Con

電容：1000µF

額定電壓：35V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：1.1A

ESR（等效串聯(lián)電阻）：365 毫歐

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.630" 直徑（16.00mm）

高度_座高（最大）：0.650"（16.50mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.669" L x 0.669" W（17.00mm x 17.00mm）

包裝：托盤(pán)

• MX25L4006EPI-12G

  存儲(chǔ)器    Macronix    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP

• OMI-SS-248L,500

  功率，高于 2 安    TE Connectivity    3-SIP    RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V

• MVA25VE332MM22TR

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD

• MT5VDDT1672HG-26AC3

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM

• MCR18EZHF2053

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MCR03EZPJ2R4

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT29F64G08CFACAWP:C TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH NAND 64GB 48TSOP

• MX25L512EMI-10G

  存儲(chǔ)器    Macronix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP

• HF50ACB321611-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1206（3216 公制）    FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206

• MT5VDDT1672HY-335F3

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE DDR 128MB 200-SODIMM

• MCR18EZHF20R5

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MCR03EZPJ304

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT29F8G08ABABAWP:B

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH NAND 8GB 48TSOP

• HF50ACB321611-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1206（3216 公制）    FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206

• MX25L6406EMI-12G

  存儲(chǔ)器    Macronix    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP