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MVE6.3VC681MH10TP 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠(chǎng)商：批號(hào)：封裝：

MVE6.3VC681MH10TP詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：電容器

描述：CAP ALUM 680UF 6.3V 20% SMD

系列：MVE

制造商：United Chemi-Con

電容：680µF

額定電壓：6.3V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：340mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：1.097 歐姆

阻抗：-

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.315" 直徑（8.00mm）

高度_座高（最大）：0.394"（10.00mm）

引線(xiàn)間隔：-

表面貼裝占地面積：0.327" L x 0.327" W（8.30mm x 8.30mm）

包裝：帶卷 (TR)

• MVE6.3VC471MH10TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 470UF 6.3V 20% SMD

• HF659/50

  扁平帶    3M        CABLE 50COND RND SHIELD GRY 275’

• MX2-AB007-VP

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    48-TFBGA，CSPBGA    MX2 230V 1PH VALUE PACK

• MCR03EZPJ685

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 6.8M OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT36KDZS1G72PZ-1G4D1

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    240-RDIMM    MODULE DDR3 SDRAM 8GB 240RDIMM

• MT8VDDT3264AY-335K1

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-UDIMM    MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM

• MCR18EZHF26R1

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 26.1 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ONET4201LDRGERG4

  PMIC - 激光驅(qū)動(dòng)器    Texas Instruments    24-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN

• MX2-AB015-VP

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    48-TFBGA，CSPBGA    MX2 230V 1PH VALUE PACK

• MT36KSZF1G72PZ-1G4D1

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    240-RDIMM    MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240RDIMM

• MCR03EZPJ752

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 7.5K OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT8VDDT6464AG-335F4

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• ONET4211LDRGER

  PMIC - 激光驅(qū)動(dòng)器    Texas Instruments    24-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN

• HF659/64SF

  扁平帶    3M        CABLE 64COND RND SHIELD GRY 50’

• MX2-AB015-VP

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    48-TFBGA，CSPBGA    MX2 230V 1PH VALUE PACK