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MWI450-12E9 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MWI450-12E9詳細(xì)規(guī)格

類別：IGBT

描述：MOD IGBT SIXPACK E+

系列：-

制造商：IXYS

IGBT類型：NPT

配置：三相

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：1200V

VgewwwwIc時(shí)的最大Vce（開）：2.4V @ 15V，450A

電流_集電極333Ic444（最大）：640A

電流_集電極截止（最大）：1mA

Vce時(shí)的輸入電容333Cies444：33nF @ 25V

功率_最大：2200W

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC熱敏電阻：是

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：E+

供應(yīng)商設(shè)備封裝：E+

• MCR03EZPFX5101

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 5.10K OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MSC1202EVM

  過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Texas Instruments        EVALUATION MODULE FOR MSC1201/02

• MURS260T3G

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    DO-214AA，SMB    DIODE ULTRA FAST 2A 600V SMB

• MWI30-06A7

  IGBT    IXYS    E2    MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2

• MT48LC128M4A2P-75:C TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP

• MS3476L14-18PZ

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 18POS CABLE PIN

• MT47H16M16BG-37V:B

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    84-FBGA    IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84FBGA

• MCR10EZPJ910

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 91 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• MCR03EZPFX5102

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 51.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MURS320-E3/57T

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-214AB，SMC    DIODE ULTRA FAST 3A 200V SMC

• MT48LC128M4A2TG-75:C TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP

• MCR10EZPJ912

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 9.1K OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• MS3476L14-18S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 18POS STRAIGHT W/SCKT

• MT47H256M4B7-5E:A

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    92-FBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 5NS 92FBGA

• MCR03EZPFX5110

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 511 OHM 1/10W 1% 0603 SMD