NOSC107M004R0150的供應信息|PDF資料|求購NOSC107M004R0150上51電子網

NOSC107M004R0150詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：100µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：150 毫歐; 電流_泄漏電流：8µA; 耗散因數：6%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代碼：C; 高度_座高（最大）：0.110"（2.80mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：帶卷 (TR)

NOSC107M004R0150供應商

查看更多NOSC107M004R0150的供應商

MT48LC8M8A2TG-7E:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
NOSA226M002R0900
氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
NLCV32T-R47M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
NLAST4051DR2
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE3503M04-T2-A
RF FET CEL SC-82A，SOT-343 AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
HM2P88PD8110N9
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NE01-CCPC1-EL10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
MFR-25FRF-536R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48V4M32LFB5-8 XT:G
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
NE3508M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NLAST4051DR2
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE01-CCPC1-EL30
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
MT48V4M32LFF5-10:G
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
MFR-25FRF-53K6
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2P88PD81K1N9LF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT