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NOSE477M004R0075詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 470UF 4V 2917; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：470µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：75 毫歐; 電流_泄漏電流：37.6µA; 耗散因數：12%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2917（7343 公制）; 制造商尺寸代碼：E; 高度_座高（最大）：0.169"（4.30mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：剪切帶 (CT)

NOSE477M004R0075詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 470UF 4V 2917; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：470µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：75 毫歐; 電流_泄漏電流：37.6µA; 耗散因數：12%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2917（7343 公制）; 制造商尺寸代碼：E; 高度_座高（最大）：0.169"（4.30mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：帶卷 (TR)

NOSE477M004R0075詳細規格: 類別：氧化鈮; 描述：CAP NIOB OXIDE 470UF 4V 2917; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 電容：470µF; 電壓_額定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串聯電阻）：75 毫歐; 電流_泄漏電流：37.6µA; 耗散因數：12%; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：2917（7343 公制）; 制造商尺寸代碼：E; 高度_座高（最大）：0.169"（4.30mm）; 特點：低 ESR; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 包裝：Digi-Reel®

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NOSE477M004R0075 深圳市燦億佳電子科技有限公司 13424184668
NOSE477M004R0075 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
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NOSE477M004R0075 深圳市宇明芯科技有限公司 0755-83051566
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NOSE477M004R0075
氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 4V 2917
ICS553MILFT
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PMIC - 熱管理 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-VFDFN 裸露焊盤 IC TEMP SENS EEPROM DFN-8
IDT71P72604S200BQ8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA
ICS554G-01AILF
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 16TSSOP
HVR3700001583FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 158K OHM METAL FILM .50W 1%
NX8045GB-40.000000MHZ
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 40.000000 MHZ 8PF SMD
OPA2330AIDG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP CMOS ZERO DRIFT 8SOIC

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