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NP83P06PDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫歐 @ 41.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：剪切帶 (CT)

NP83P06PDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫歐 @ 41.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：Digi-Reel®

NP83P06PDG-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -60V 83A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫歐 @ 41.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

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NP83P06PDG-E1-AY 深圳市芯宇恒科技有限公司 0755-85298085
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NP83P06PDG-E1-AY 深圳市信佳源電子有限公司 13691818754
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