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SI2309CDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2309CDS-T1-E3供應商

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SR155C392KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SRR1260-7R6Y
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 7.6UH 6A SMD
SI2308BDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
SR121A221JARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
SFD44S60K391B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 60UF 440VAC QC TERM
SR155C392KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK16-LTP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
RT1206CRE0788R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-820M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD
SFD66S40K491B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 40UF 660VAC QC TERM
SR121A221KARAP2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
SR155C392KAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK18-LTP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 80V SMB
RT1206CRE078K06L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 8.06K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SI2312BDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3