SI3456 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI3456BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：Digi-Reel®

SI3456BDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI3456CDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V

功率_最大：3.3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI3456CDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V

功率_最大：3.3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• RNCF1210BTT200R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1210（3225 公制）    RES 200 OHM 1/5W 0.1% 1210

• SI3454CDV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

• SI7100DN-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

• SCC68681E1A44,518

  接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器）    NXP Semiconductors    44-LCC（J 形引線）    IC DUART 44PLCC

• SD600R32PC

  單二極管/整流器    Vishay Semiconductors    B-8    DIODE STD REC 3200V 600A B-8

• RNF18FTD187R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 187 OHM 1% AXIAL

• SI4455-B1A-FM

  RF 收發(fā)器    Silicon Laboratories Inc    20-VFQFN 裸露焊盤    IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355

• MDM-51SH003M2

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE

• RNCF1210DTC10R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1210（3225 公制）    RES 10 OHM 1/5W 0.5% 1210

• SCC68681E1A44,529

  接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器）    NXP Semiconductors    44-LCC（J 形引線）    IC DUART 44PLCC

• SD6020-100-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR SHIELDED 10UH SMD

• RNF18FTD191K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 191K OHM 1% AXIAL

• SI4463BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

• MDM-51SH003M2

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE

• RNCF2010BKE205K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    2010（5025 公制）    RES 205K OHM 1/4W 0.1% 2010