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SI3552DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3552DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3552DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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