SI4430 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4430-A0-FM詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 收發(fā)器

描述：IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：900MHz ~ 960MHz

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：128kbps

調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK

應(yīng)用：-

功率_輸出：13dBm

靈敏度：-118dBm

電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V

電流_接收：18.5mA

電流_傳輸：28mA

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲(chǔ)容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤

包裝：管件

SI4430-B1-FM詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 收發(fā)器

描述：IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：900MHz ~ 960MHz

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256kbps

調(diào)制或協(xié)議：ISM

應(yīng)用：通用

功率_輸出：13dBm

靈敏度：-121dBm

電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V

電流_接收：18.5mA

電流_傳輸：30mA

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲(chǔ)容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤

包裝：管件

SI4430-B1-FMR詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 收發(fā)器

描述：IC TXRX 900-960MHZ -8-13DB 20QFN

系列：EZRadioPRO®

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：900MHz ~ 960MHz

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256kbps

調(diào)制或協(xié)議：ISM

應(yīng)用：通用

功率_輸出：13dBm

靈敏度：-121dBm

電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V

電流_接收：18.5mA

電流_傳輸：30mA

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲(chǔ)容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤

包裝：帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4430BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

• SH564P4S144

  傳感器電纜 - 配件    Conxall/Switchcraft        SHLD MINIMIZER DOUBLE-ENDED STRT

• RTE1000G14

  DIP    C&K Components    SC-75，SOT-416    SWITCH ROTARY 10POS BCD SMT

• RT0805CRD07300RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 300 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI4426DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC

• SR151A331JAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL

• SI4488DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 8-SOIC

• RT0402CRE07619RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 619 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• SI7322DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

• SH564S4S144

  傳感器電纜 - 配件    Conxall/Switchcraft        SHIELDED DC MICRO-MIZER

• SR151A331JAATR2

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL

• SI4490DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

• SI7328DN-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8

• SH566P6S144

  傳感器電纜 - 配件    Conxall/Switchcraft        SHLD MINIMIZER DOUBLE-ENDED STRT

• RTE1000N13

  DIP    C&K Components    SC-75，SOT-416    SWITCH ROTARY 10POS BCD

• RT0402CRE0762KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 62.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402