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SI4465ADY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4465ADY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4465ADY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4465ADY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4465ADY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4465ADY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4465供應商

SGH40N60UFTU
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
VJ1206Y471KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 470PF 500V 10% X7R 1206
SI4464DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
VI-B6K-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
VI-2WF-EW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W
VI-PU41-EWX
AC DC 轉換器 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盤 CONV MOD AC/DC 48V 12V 100W
VJ0805Y472KNAAO
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 0805
VJ1210Y331KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 330PF 500V 10% X7R 1210
SGJ.1B.304.CLLPV
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA COUPL.W.NUT CDG/J 4CTS
VI-B6K-CX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
VI-2WF-EX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W
VI-PULO-CVY
AC DC 轉換器 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盤 CONV MOD AC/DC 28V V 150W
VJ1210Y331MXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 330PF 1KV 20% X7R 1210
VJ0805Y473KNAAO
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0805
SGJ.1B.306.CLLPV
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA COUPL.W.NUT CDG/J 6CTS BRAZ.

SI4465 全國供應商、價格、PDF資料