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SI4622DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：SkyFET®, TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2458pF @ 15V; 功率_最大：3.3W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4622DY-T1-E3供應商

T95S685M6R3EZSL
鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1507
TLV2453CDGSR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP R-R 220KHZ 10MSOP
SI4618DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
T95X475M025HZSL
鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 4.7UF 25V 20% 2910
STF22NM60N
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
TLC2272IPWRG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8TSSOP
TA-4.000MDE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 4.000 MHZ 1.8V SMD
SI4620DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
TLV2453CDRG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 220KHZ 14SOIC
T95X685K016CZAL
鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 6.8UF 16V 10% 2910
STF28NM50N
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP
TLC2272MDR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8SOIC
TA-4.096MBE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 4.096 MHZ 3.3V SMD
TLV2453IDGS
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP R-R 220KHZ 10MSOP
T95V106K6R3CZSL
鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410

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