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SI4834BDY-T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4834BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SR768C224MARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL

• SI4834BDY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

• SR217A121JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 120PF 500V 5% RADIAL

• RT0603DRD0710KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 10K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SQCAEM270JAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 27PF 150V 5% 0605

• SQCB9M201JAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 200PF 300V 5% 1111

• SHIPLBL-078

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK

• SR891A101JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 100PF 100V 5% RADIAL

• SI7866ADP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC

• RT0603DRD0710R5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 10.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603

• SQCAEM270JATWE

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 27PF 150V 5% 0605

• SHIPLBL-080

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK

• SQCB9M201JAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 200PF 300V 5% 1111

• SR891A331JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL

• SI7868ADP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC