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SI4894BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4894BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4894BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4894BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4894BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4894BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

MMSZ5223BT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD-123
SRDB-07A500G
DC DC Converters Bel Fuse Inc 12-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 7A 12V 5.0V SMD
SMA5J8.0AHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 8.0V 5% SMA
SI4886DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SSQ-129-02-S-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 58POS DUAL GOLD
RY-0909S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 09VIN 09VOUT
SHREPAX0
配件 Red Lion Controls 徑向，Can EPAX SHROUD
SR151C122JAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
SRDB-10E15HR
DC DC Converters Bel Fuse Inc 12-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 10A 4.5-13.2V 1.5VOUT
MMSZ5225B-7-F
單二極管/齊納 Diodes Inc SOD-123 DIODE ZENER 3V 500MW SOD-123
SSQ-129-03-S-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 58POS DUAL GOLD
SHRLPAX0
配件 Red Lion Controls 徑向，Can LPAX SHROUD
SR151C151KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 150PF 100V 10% RADIAL
SRDB-20E33HR
DC DC Converters Bel Fuse Inc 12-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 20A 3.3V OUT SMD
RY-0912S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT

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