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SI4953ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4953ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4953ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4953ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4953ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4953ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

RZ-1215S
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 12VIN 15VOUT
SI4952DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 25V 8-SOIC
RT0805DRD07390RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 390 OHM 1/8W .5% SMD 0805
SR211A100JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 100V 5% RADIAL
SRS-1-215
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標(biāo)準(zhǔn) SCREW SPACER PVC .215X.25 #4 GY
RTS-0509/HP
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 05VIN 09VOUT
RT0805CRD0718R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 18.7 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RW0S6BBR470FET
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2010（5025 公制） RES .47 OHM .6W 2010 SMD
RZ-1505S/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 15VIN 05VOUT
SR211A100KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 100V 10% RADIAL
SRS-1-265
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標(biāo)準(zhǔn) SCREW SPACER PVC .265X.25 #4 GY
RTS-0512/H-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 05VIN 12VOUT
RW-1205S/SMD
DC DC Converters Recom Power 24-DIP SMD 模塊（13 引線） CONV DC/DC 3W 9-18VIN 05VOUT
RZ-1512S
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 15VIN 12VOUT
RT0805CRD0718RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 18.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805

SI4953 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料