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SI7820DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7820DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7820DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

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SS1/4-4
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SI7820DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
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SLF12565T-220M3R5-H
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR 22UH 3.5A 20% SMD
MMZ1608A222B
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP BEAD 2200 OHM SMD
SMAJ8.0A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA
SSL21153T/1,118
PMIC - LED 驅動器 NXP Semiconductors IC DRIVER LED SSL 7SOIC
ST72F324BJ6TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-LQFP
SRR1260-390M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 39UH 2.8A SMD
SLF12565T-221M1R0-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 220UH 12565
SS100M050ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 10UF 50V 20% RADIAL
SMAJ8.0A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA