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SI8900EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：10-UFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：10-Micro Foot?（2x5）; 包裝：Digi-Reel®

SI8900EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：10-UFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：10-Micro Foot?（2x5）; 包裝：帶卷 (TR)

SI8900EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：10-UFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：10-Micro Foot?（2x5）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8900EDB-T2-E1供應商

SI8900EDB-T2-E1 深圳市華斯頓電子科技有限公司 0755-83777708
SI8900EDB-T2-E1 深圳誠思涵科技有限公司 0755-83015506
SI8900EDB-T2-E1 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-1886
SI8900EDB-T2-E1 深圳市宇明芯科技有限公司 0755-83051566
SI8900EDB-T2-E1CT 深圳市芯脈實業有限公司 0755-84507209
SI8900EDB-T2-E1 深圳市三得電子有限公司 15026993318
SI8900EDB-T2-E1 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
SI8900EDB-T2-E1CT 深圳市勵芯恒智能科技有限公司 0755-23487994
SI8900EDB-T2-E1CT 深圳德田科技有限公司 0755-83254070
SI8900EDB-T2-E1 深圳市芯宇恒科技有限公司 0755-85298085
SI8900EDB-T2-E1 北京元坤國際科技有限公司 010-62962871、
SI8900EDB-T2-E1 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SI8900EDB-T2-E1 北京首天偉業科技有限公司 010-62962871、
SI8900EDB-T2-E1 北京顯周科技有限公司 13910052844（微

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