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STB30NM60N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB30NM60N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB30NM60N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB30NM60ND詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB30NM60ND詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB30NM60ND詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

TH3B105K025E5000
鉭 Vishay Sprague 1411（3528 公制） CAP TANT 1UF 25V 10% 1411
TL3301AF100QJ
觸摸 E-Switch SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
TMK325B7106KN-TR
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 25V 10% X7R 1210
STB30NM60ND
FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
T68/M
配件 Vector Electronics 軸向圓柱形，3引線（徑向彎曲） TERMINAL MINIWRAP 1000PCS/PKG
SQCB7M510JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 51PF 500V 5% 1111
T-51639D084JU-FW-A-AB
顯示器模塊 - LCD，OLED，圖形 Kyocera Display America, Inc. 2917（7343 公制） LCD 8.4" TFT 1024X768 XGA
TH3B105K025F5000
鉭 Vishay Sprague 1411（3528 公制） CAP TANT 1UF 25V 10% 1411
TMK325B7106MM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 25V 20% X7R 1210
T68-1/C
配件 Vector Electronics 軸向圓柱形，3引線（徑向彎曲） TERMINAL WW MINIWRAP .042" GOLD
SQCB7M560FAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 56PF 500V 1% 1111
T-51750GD065J-FW-APN
顯示器模塊 - LCD，OLED，圖形 Kyocera Display America, Inc. 2917（7343 公制） LCD TFT 6.5" VGA 640X480 CCFL
TH3B156K010D1800
鉭 Vishay Sprague 1411（3528 公制） CAP TANT 15UF 10V 10% 1411
TMK325B7106MM-TD
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 10UF 25V 20% X7R 1210
TL3301CF100RG
觸摸 E-Switch SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

STB30NM60N 全國供應商、價格、PDF資料