TNPW2010127KBETF 全國供應商、價格、PDF資料

TNPW2010127KBETF詳細規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 127K OHM .40W 0.1% 2010

系列：TNPW

制造商：Vishay Dale

電阻333Ω444：127k

功率333W444：0.4W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數(shù)：±25ppm/°C

容差：±0.1%

封裝/外殼：2010（5025 公制）

供應商器件封裝：2010

大小/尺寸：0.197" L x 0.098" W（5.00mm x 2.50mm）

高度：0.030"（0.75mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• TPCL226M004R5000

  鉭    AVX Corporation    0603（1608 公制）    CAP TANT 22UF 4V 20% 0603

• US4881ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關(guān)，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL SW BIPO NORTH POLE SOT23

• TCJD476M025R0060

  鉭    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP TANT 47UF 25V 20% 2917

• TNPW2512357RBEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 357 OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW2010124KBETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 124K OHM .40W 0.1% 2010

• TCJD476M025R0100

  鉭    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP TANT 47UF 25V 20% 2917

• USW1H2R2MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2.2UF 50V 20% RADIAL

• TPCL335M010R5000

  鉭    AVX Corporation    0603（1608 公制）    CAP TANT 3.3UF 10V 20% 0603

• US5681ESE-AAA-000-BA

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關(guān)，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV        IC HALL EFFECT SW UNIPOL TSOT23

• TNPW2512357RBETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 357 OHM 1/2W 0.1% 2512

• UT002028SH

  圓形 - 外殼    Souriau Connection Technology    -    CONN RCPT FEMALE 28POS WALL MNT

• TCJP476M006R0500

  鉭    AVX Corporation    0805（2012 公制）    CAP TANT 47UF 6.3V 20% 0805

• TPCL4203(TE85L,F)

  FET - 陣列    Toshiba    4-XLGA    MOSFET N-CH DUAL 24V 6A 4CHIPLGA

• US5683ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關(guān)，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-3L

• TCJR475M010R0500

  鉭    AVX Corporation    0805（2012 公制）    CAP TANT 4.7UF 10V 20% 0805