BSH103 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSH103,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：850mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：400mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：83pF @ 24V

功率_最大：540mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BSH103,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：850mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：400mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：83pF @ 24V

功率_最大：540mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSH103,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：850mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：400mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：83pF @ 24V

功率_最大：540mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BSH103,235詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：850mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：400mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：83pF @ 24V

功率_最大：540mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• C320C222J2G5CA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 2200PF 200V 5% RADIAL

• B82422H1332K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 3.3UH 500MA 1210 10%

• BSH103,215

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

• B37940K5040C760

  陶瓷    EPCOS Inc    0805（2012 公制）    CAP CER 4PF 50V NP0 0805

• B43504F2687M80

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V

• BG1101W-TR

  LED - 分立式    Stanley Electric Co    1206（3216 公制）    LED PURE GREEN CLEAR 1206 SMD

• BD46382G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 3.8V 200MS 5SSOP

• BFC241942403

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.024UF 400VDC RADIAL

• C320C222J2G5TA7303

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 2200PF 200V 5% RADIAL

• BR1112H-TR

  LED - 分立式    Stanley Electric Co    0805（2012 公制）    LED RED 0805 SMD

• B43504G2108M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V

• BD46402G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 4.0V 200MS 5SSOP

• BG1102W-TR

  LED - 分立式    Stanley Electric Co    1206（3216 公制）    LED PURE GREEN CLEAR 1206 SMD

• BFC241942703

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.027UF 400VDC RADIAL

• B82422H1472K

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 4.7UH 700MA 1210 10%