BSS119 全國供應商、價格、PDF資料

BSS119 E6433詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS119 E7796詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS119 E7978詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS119 L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS119 L6433詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：Digi-Reel®

BSS119 L6433詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

• C1005X5R1E334K

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 0.33UF 25V 10% X5R 0402

• BU-29-2

  配件    Mueller Electric Co    0402（1005 公制）    INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED

• B43888C1226M

  電容器    EPCOS Inc        22UF 160V SINGLE END

• 741C083511JP

  網(wǎng)絡、陣列    CTS Resistor Products    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 510 OHM 4 RES 0804

• B72500T0070M060

  TVS - 二極管    EPCOS Inc        CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE

• BSR41,115

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-243AA    TRANS NPN 80V 1000MA SOT89

• C0805C560J1GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 56PF 100V 5% NP0 0805

• BU-29-2

  配件    Mueller Electric Co    0805（2012 公制）    INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED

• 741C083514J

  網(wǎng)絡、陣列    CTS Resistor Products    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 510K OHM 4 RES 0804

• B72500T5170K60

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc        VARISTOR CT0603K17CCG

• C0805C560J2GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 56PF 200V 5% NP0 0805

• BU-29-2

  配件    Mueller Electric Co    0805（2012 公制）    INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED

• B43888C2106M

  電容器    EPCOS Inc        10UF 250V SINGLE END

• 741C083560J

  網(wǎng)絡、陣列    CTS Resistor Products    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 56 OHM 4 RES 0804

• B72500T70K60

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc        VARISTOR CT0603K7G