BSS138N 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSS138N E6433詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E6908詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E7854詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E8004詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

BSS138N L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：剪切帶 (CT)

BSS138N L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3

包裝：Digi-Reel®

• 6141237

  配件    Cherry        ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX

• 60805-2

  配件    TE Connectivity        CONN TERM LAMP SOCKET 16-20AWG

• BSS138LT3G

  FET - 單    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

• B82432T1393K

  固定式    EPCOS Inc    1812（4532 公制）    INDUCTOR 39UH 380MA 1812 10%

• B41252A6278M

  電容器    EPCOS Inc        2700UF 50V 22X30 SNAP IN

• ATMEGA88V-10PJ

  嵌入式 - 微控制器，    Atmel    28-DIP（0.300"，7.62mm）    IC MCU AVR 8K 5V 10MHZ 28-DIP

• C1210C272J2GACTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 2700PF 200V 5% NP0 1210

• AVT200-2-10%

  可調(diào)功率電阻    Vishay Huntington Electric Inc.    圓柱形，管件    RESISTOR POWER ADJ 2.0 OHM 225W

• 6141237

  配件    Cherry    圓柱形，管件    ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX

• B82432T1473K

  固定式    EPCOS Inc    1812（4532 公制）    INDUCTOR 47UH 350MA 1812 10%

• ATMEGA8A-MU

  嵌入式 - 微控制器，    Atmel    32-VFQFN 裸露焊盤    MCU AVR 8K FLASH 16MHZ 32-QFN

• B41252A688M

  電容器    EPCOS Inc        6800UF 80V 35X50 SNAP IN

• AVT200-250-10%

  可調(diào)功率電阻    Vishay Huntington Electric Inc.    圓柱形，管件    RESISTOR POWER ADJ 250 OHM 225W

• C1210C272MCGACTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 2700PF 500V 20% NP0 1210

• 6141238

  配件    Cherry    1210（3225 公制）    ACTUATOR SIM ROLLER SC SUFFIX