MRFE6S9060NR1
- 發(fā)布時間：2020/3/30 9:03:47
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市金嘉銳電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：朱先生
MRFE6S9060NR1屬性
- 電議
- 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
- TO-270
- NXP
MRFE6S9060NR1描述
制造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: RoHS 合規(guī)性豁免 詳細信息
商標: NXP / Freescale
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 66 V
增益: 21.1 dB
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-270
封裝: Reel
最小工作溫度: - 65 C
工作頻率: 1 GHz
系列: MRFE6S9060NR1
工廠包裝數量: 500
Vgs - 柵極-源極電壓: - 0.5 V, 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
單位重量: 529.550 mg
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聯(lián)系方式
- 聯(lián)系人：朱先生
- 地 址：深圳福田區(qū)振興路華康大廈211
- 郵 編：518000
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