IRF7319PBF
IRF7319PBF屬性
- MOSFET
- SOIC-8
- IR
IRF7319PBF描述
制造商: International Rectifier
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 1 V, 1 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最大工作溫度: + 150 C
技術(shù): Si
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標(biāo): International Rectifier
配置: Dual Dual Drain
下降時(shí)間: 17 ns, 32 ns
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2 W
上升時(shí)間: 8.9 ns, 13 ns
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns, 34 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8.1 ns, 13 ns
單位重量: 540 mg