SIRA04DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 特價(jià)熱賣

• 發(fā)布時(shí)間：2018/7/16 9:43:00
• 所屬類別：電力半導(dǎo)體器件 » 其它電力半導(dǎo)體器件
• 公    司：深圳市盈創(chuàng)晶芯電子有限公司

SIRA04DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 特價(jià)熱賣屬性

SIRA04DP-T1-GE3 MOSFET 原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 特價(jià)熱賣描述

制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 0.0018 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 77 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: 1 N-Channel
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: SIR
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 105 S
下降時(shí)間: 8 ns
Pd-功率耗散: 62.5 W
上升時(shí)間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
零件號(hào)別名: SIRA04DP-GE3
單位重量: 506.600 mg


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