IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十

• 發(fā)布時(shí)間：2018/7/16 9:43:00
• 所屬類(lèi)別：電力半導(dǎo)體器件 » 其它電力半導(dǎo)體器件
• 公    司：深圳市盈創(chuàng)晶芯電子有限公司

IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十屬性

IRLB3813PBF MOSFET 原裝正品 假一賠十描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 260 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.95 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 57 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 140 S
下降時(shí)間: 60 ns
Pd-功率耗散: 230 W
上升時(shí)間: 170 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 33 ns
典型接通延遲時(shí)間: 36 ns
零件號(hào)別名: SP001558110
單位重量: 6 g


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