分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 CSD19533Q5A 晶體管

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 CSD19533Q5A 晶體管屬性

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 CSD19533Q5A 晶體管描述

CSD19533Q5A介紹；
描述 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 含鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 100A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2670pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），96W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 9.4 毫歐 @ 13A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-VSONP（5x6）
封裝/外殼 8-PowerTDFN

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