分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 PMV45EN2R 晶體管

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類(lèi)別：晶體 » 其它晶體元件
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 PMV45EN2R 晶體管屬性

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 PMV45EN2R 晶體管描述

PMV45EN2R介紹；
描述 MOSFET N-CH 30V SOT23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 4.1A（Ta） 510mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4.1A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 209pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 510mW（Ta）, 5W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 42 毫歐 @ 4.1A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開(kāi)關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

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