SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3屬性

---

SI2308BDS-T1-GE3描述

艾宇特電子科技有限公司是一家代理歐美各大知名廠家大規(guī)模專用集成電路為主的元器件專業(yè)供應商。
只做進口原裝正品！現(xiàn)貨，或訂貨假一賠十！QQ2421050558 電話13632911902
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.3A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.8nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 190pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.09W（Ta），1.66W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 156 毫歐 @ 1.9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

---

SI2308BDS-T1-GE3相關產(chǎn)品