分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDV303N 晶體管

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：晶體 » 其它晶體元件
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDV303N 晶體管屬性

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDV303N 晶體管描述

FDV303N介紹；
描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 680mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 450 毫歐 @ 500mA，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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1965年：摩爾定律誕生。當(dāng)時(shí)，戈登·摩爾（Gordon Moore）預(yù)測(cè)，未來一個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個(gè)月翻一倍(至今依然基本適用)，摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。
1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導(dǎo)體公司辭職，創(chuàng)立了一個(gè)新的企業(yè)，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integrated electronics）”的縮寫。
1969年：英特爾成功開發(fā)出第一個(gè)PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。

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