晶體管 IPB65R420CFD FET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 IPB65R420CFD FET屬性

晶體管 IPB65R420CFD FET描述

IPB65R420CFD介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
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零件狀態(tài) 最後搶購(gòu)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8.7A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 340μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 870pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 420 毫歐 @ 3.4A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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PDSM - 最大耗散功率，也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.

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