晶體管 NTGS4141NT1G FET
晶體管 NTGS4141NT1G FET屬性
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晶體管 NTGS4141NT1G FET描述
NTGS4141NT1G介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.5A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 560pF @ 24V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 25 毫歐 @ 7A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6
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無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。
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