晶體管 IXFE73N30Q MOSFET

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 IXFE73N30Q MOSFET屬性

晶體管 IXFE73N30Q MOSFET描述

IXFE73N30Q介紹：
描述 MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 底座安裝 N 溝道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 300V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 66A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 46 毫歐 @ 36.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC
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晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

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