晶體管 SI2316DS MOSFET
晶體管 SI2316DS MOSFET屬性
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晶體管 SI2316DS MOSFET描述
SI2316DS介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 2.9A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA(最。
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 215pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 50 毫歐 @ 3.4A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器)。
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