MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導(dǎo)體產(chǎn)品

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導(dǎo)體產(chǎn)品屬性

MOSFET - 單 DMN2050L-7 半導(dǎo)體產(chǎn)品描述

DMN2050L-7介紹：
描述 MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 20V 5.9A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.9A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 532pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 5A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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MOSFET在數(shù)位電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）訊號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。

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