晶體管 BSO301SP H FET

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 BSO301SP H FET屬性

晶體管 BSO301SP H FET描述

BSO301SP H介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 12.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 136nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5890pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.79W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 14.9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-DSO-8
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

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