晶體管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET屬性

晶體管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET描述

SQ2303ES-T1_GE3介紹：
描述 MOSFET P-CHAN 30V SOT23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 2.5A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236（SOT-23）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 170 毫歐 @ 1.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236（SOT-23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后，金氧半場(chǎng)效晶體管即可讓電流通過(guò)，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場(chǎng)效晶體管的溝道流過(guò)的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。

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