晶體管 DMP32D4S-7 MOSFET - 單
晶體管 DMP32D4S-7 MOSFET - 單屬性
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晶體管 DMP32D4S-7 MOSFET - 單描述
DMP32D4S-7介紹:
描述 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 300mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 300mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 2.4 歐姆 @ 300mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 1.2nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 51.16pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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