晶體管 TK56A12N1,S4X FET
晶體管 TK56A12N1,S4X FET屬性
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晶體管 TK56A12N1,S4X FET描述
TK56A12N1,S4X介紹:
描述 MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 120V 56A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVIII-H
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 56A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 7.5 毫歐 @ 28A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 60V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220SIS
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應(yīng)管可以用作可變電阻.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.
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