晶體管 STU10N60M2 半導體產(chǎn)品

晶體管 STU10N60M2 半導體產(chǎn)品屬性

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晶體管 STU10N60M2 半導體產(chǎn)品描述

STU10N60M2介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V IPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-PAK
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ II Plus
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 13.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 400pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 85W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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場效應晶體管（field effect transistor）利用場效應原理工作的晶體管。英文簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中多數(shù)載流子的密度或類型。

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