晶體管 RN1110MFV 預偏置

晶體管 RN1110MFV 預偏置屬性

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晶體管 RN1110MFV 預偏置描述

RN1110MFV介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN - 預偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值） 100nA（ICBO）
功率 - 最大值 150mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-723
供應商器件封裝 VESM
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢得以發(fā)揮。

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