晶體管 FDD86250 半導(dǎo)體產(chǎn)品

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 FDD86250 半導(dǎo)體產(chǎn)品屬性

晶體管 FDD86250 半導(dǎo)體產(chǎn)品描述

FDD86250介紹：
描述 MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 39 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 150V 8A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），132W（Tc） D-PAK（TO-252）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8A（Ta），50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），132W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-PAK（TO-252）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。

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