2N7002LT1G
2N7002LT1G屬性
- QQ議價(jià)
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- ON Semiconductor
2N7002LT1G描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 115 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.5 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.94 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: 2N7002L
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.3 mm
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 mS
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 40 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
單位重量: 1.400 g
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