晶體管 IPW60R070P6 FET-MOSFET

晶體管 IPW60R070P6 FET-MOSFET屬性

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晶體管 IPW60R070P6 FET-MOSFET描述

IPW60R070P6介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3

詳細描述 通孔 N 溝道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS? P6

包裝 管件

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 53.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 20.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1.72mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 100nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 391W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 PG-TO247-3

封裝/外殼 TO-247-3

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