晶體管 SI7141DP MOSFET - 單

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 SI7141DP MOSFET - 單屬性

晶體管 SI7141DP MOSFET - 單描述

SI7141DP介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 60A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.9 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 400nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 14300pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

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