晶體管 LND250K1 FET-MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 LND250K1 FET-MOSFET屬性

晶體管 LND250K1 FET-MOSFET描述

LND250K1介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 500V 13mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 13mA（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1000 歐姆 @ 500μA，0V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 10pF @ 25V
FET 功能 耗盡模式
功率耗散（最大值） 360mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23（TO-236AB）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔，用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極，測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測(cè)出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小，則為P溝道。

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