存儲器 IS61LV5128AL-10TLI

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

存儲器 IS61LV5128AL-10TLI屬性

存儲器 IS61LV5128AL-10TLI描述

IS61LV5128AL-10TLI介紹：
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 SRAM - 異步 存儲器 IC 4Mb （512K x 8） 并聯(lián) 10ns 44-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 托盤
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲容量 4Mb （512K x 8）
寫周期時間 - 字，頁 10ns
訪問時間 10ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3.135 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II
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當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。


Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) - Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場設(shè)計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：(I) 汽車、(II) 通信、(III) 數(shù)字消費、(IV) 工業(yè)/醫(yī)療。 高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM 是該公司的主打產(chǎn)品。 該公司還設(shè)計銷售 NOR 閃存產(chǎn)品、高性能模擬和混合信號集成電路。

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