SPD06N80C3

• 發(fā)布時間：2019/1/4 9:53:31
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

SPD06N80C3屬性

SPD06N80C3描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 900 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 31 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
系列: CoolMOS C3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降時間: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SP001117772 SPD06N80C3
單位重量: 4 g

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